Представлены экспериментальные результаты исследования фотоэлектрических характеристик фоторезисторов на основе сульфида свинца. В работе синтезированы фоточувствительные пленки PbS и пленки твердого раствора замещения CdS-PbSc сенсибилизирующими добавками солей хлорида и йодида аммония, а также хлорида кадмия, которые были введены для ускорения фотоотклика; разработана оригинальная установка для изучения фотоэлектрических характеристик фоторезисторов; выполнено экспериментальное исследование кинетики фотоотклика синтезированных фоторезисторов при импульсном возбуждении оптическим излучением (940 нм).